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- 介电常数和介质损耗的关系
- 点击次数:85 更新时间:2025-12-01
介电常数(ε)和介质损耗(tanδ)是描述材料电学性能的两个关键参数,其关系可通过以下角度理解:
1. 物理定义
介电常数:衡量材料在电场中存储电荷的能力,定义为介质中电场强度与真空中电场强度的比值。
介质损耗:表征材料在交变电场中因极化滞后或电导效应转化为热能的能量损耗,通常用损耗角正切(tanδ)量化。
2. 核心关系
能量分配:外加电场能量一部分被材料以极化形式存储(介电常数体现),另一部分因发热损耗(介质损耗体现)。
复介电常数:高频下介电常数以复数形式存在,虚部(ε'')直接反映损耗,实部(ε')对应储能能力。
频率依赖性:低频时极化响应充分,介电常数较高;高频下极化滞后加剧,损耗显著增加。
3. 工程应用
材料选择:高储能电容器需高ε、低tanδ;高频电路基板需低ε、低tanδ以减少信号衰减。
测量方法:通过平行板电容器法或谐振法同步测定ε和tanδ,评估材料性能

