石英晶玻璃介电常数介质损耗测试仪Q值测量范围：1～1023Q值量程分档：30、100、300、1000、自动换档或手动换档；电感测量范围：1nH～8.4H 自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能电容直接测量范围：1pF～2.5uF主电容调节范围：30～540pF准确度 150pF以下±1pF；150pF以上±1%信号源频率覆盖范围10kHz～70MHz合格指示预置功能范围：5～1000环境温度：0℃～+40℃；消耗功率：约25W；电源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。（数显）介电常数εr和介质损耗因数tanδ测试装置：数显式微杆

平板电容器：极片尺寸： 38mm极片间距可调范围：≥15m夹具插头间距：25mm±0.01mm夹具损耗正切值≤4×10－4 （1MHz）测微杆分辨率：0.001mm测试极片：材料测量直径Φ38mm厚度可调 ≥ 15mm液体杯：测量极片直径 Φ38mm； 液体杯内径Φ48mm 、深7mm

电感组LKI-1：分别有0.1μH、0.5μH、2.5μH、10μH、50μH、100μH、1mH、5mH、10mH九个电感组成。主机尺寸：（宽×高×深）mm：380×132×280

石英晶玻璃介电常数介质损耗测试仪电容，C，名词——当导体之间存在电势差时，导体和电介质系统允许储存电分离电荷的性能。

　　讨论——电容是指电流电量 q与电位差V之间的比值。电容值总是正值。当电量采用库伦为单位，电位采用伏特为单位时，电容单位为法拉，即：

　　C=q/V （1）

　　耗散因子（D），（损耗角正切），（tanδ），名词——是指损耗指数（K''）与相对电容率（K'）之间的比值，它还等于其损耗角（δ）的正切值或者其相位角（θ）的余切值（见图1和图2）。

　　D=K''/K' (2)

　　3.2.2.1 讨论——a：

　　D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp(3)

　　式中：

　　G=等效交流电导，

　　Xp=并联电抗，

　　Rp=等效交流并联电阻，

　　Cp=并联电容，

　　ω=2πf（假设为正弦波形状）

　　耗散因子的倒数为品质因子Q，有时成为储能因子。对于串联和并联模型，电容器耗散因子D都是相同的，按如下表示为：串联模型——对于某种具有电介质损耗（图3）的绝缘材料，其并联模型通常是适当的模型，其总是能和偶尔要求模拟在单频率下电容Cs与电阻Rs串联（图4和图2）的某个电容器。

　　D=ωRsCs=1/ωRpCp(4)

　　串联和并联部分之间的关系满足以下要求：

　　Cp=Cs/(1 D2) (5)

　　Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2(6)